Самсунг приступила к массовому производству микросхем памяти HBM 2-го поколения

4 ГБ микросхемы Самсунг HBM2 выпускаются по 20-нм техпроцессу компании.

После выпуска компанией памяти 128 ГБ 3D TSV DDR4 RDIMM к середине осени 2014-го новая память HBM2 DRAM будет еще одним этапом развития технологии TSV DRAM, считают в Самсунг. К производству такой продукции Самсунг приступит на протяжении года, хотя для потребительских видеокарт 32 ГБ памяти абсолютно излишни. После SK Hynix компания Самсунг стала вторым производителем данного типа памяти, но до этого предполагалось, что Самсунг будет только собирать чипы совместно.

Пакет 4 ГБ HBM2 создается путем объединения буферного кристалла внизу и четырех базовых 8-гигабитных (Гб) кристаллов сверху.

Так называемые модули памяти HBM2 могут похвастаться рекордной пропускной способностью — 256 ГБ/с (нет, тут нет опечатки, огромная буква «Б» тут на своем месте), что в семь раз превосходит лучшие существующие на рынке чипы типа DDR5.

Новая видеопамять память даст возможность организациям NVIDIA и AMD создавать не менее энергоэффективные, «холодные» и малогабаритные видеоадаптеры, с превосходными скоростными характеристиками памяти и ее пропускной способности. Сегодня южнокорейская компания объявила о начале массового выпуска многослойных микросхем ОЗУ HBM2 объемом 4 ГБ.

Уже в нынешнем году Самсунг собирается начать производить чипы HBM2 объемом 8 Гбайт. В пользовательских видеокартах, как например, GPU Pascal от NVIDIA либо GPU Polaris от AMD, мы ждём наибольшего объема памяти в пределах 8-16 Гбайт.

4GB-HBM2-DRAM-structure_main